在半导体器件艺艺中，外加不是种多晶硅体生長枝术的CVD。其远离是用特气系统中特气pvc管道和自动化特气柜等特气装置，将含硅的特种车辆汽体（SiH4 或SiCI4或SiH2CI2等）安全管理平衡的运输到高温环境(> 1100℃)的衬底上用氢（H2）在衬底上进行还原成反馈沉淀多晶硅体硅的方案。

外延工艺的优点：

①　削减串接内阻；②　可以调节外加层中的硫氰酸盐数据分布；③　能用相同有机废气浓度和导电形式的硅衬底上不可避免的诬陷地做好掺入，以足够元器件方法众所的标准。

外延设备及所用的气体:

化学上气质联用外加发育利用的装置装备往往誉为外加发育现象炉。一般的主要是由气质联用操纵装置、电子器材操纵装置、现象炉主体结构、排气管装置四那部分组合。

在半导体外延工艺中，气体控制系统指的就是超高纯电子特气系统，以下简称特气系统。特气系统以耐腐蚀的EP管、气体泄漏监测报警系统、高精度的质量流量计以及特气设备如拥有SEMI S2认证和自动吹扫、自动切换以及紧急情况下的自动安全切断等功能的电子特气柜，来保证外延生长工艺中特种气体的安全稳定输送。

综上提出的提出的，特气设备中光电子特气柜为半导体器件概念生长的加工出示的安全的平稳的汽体原料料（如硅烷和二氯二氢硅等），能保证产生的的安全的已经产生率和良品率。后，感激您的读！