在光电器件制造工艺设计中，外加一种多晶硅产生工艺的CVD。其基本原理是运用特气设计中特气热力管道和自动化特气柜等特气设施，将含硅的劳动防护乙炔气（SiH4 或SiCI4或SiH2CI2等）安全的不稳的传送货到温度(> 1100℃)的衬底上运用氢（H2）在衬底上经由恢复备份作用挥发多晶硅硅的步骤。

外延工艺的优点：

①　变少串并联阻值；②　可以保持本质层中的悬浮物生长；③　可能用符合各种渗透压和导电种类的硅衬底上其他的不是故意地来添加，以需要满足电子器件法子成百上千的规范要求。

外延设备及所用的气体:

电化学气质联用外加植物的发育选择的机器设备传动装置基本上是称是外加植物的发育想法炉。基本上最主要由气质联用掌控机系統、智能掌控机系統、想法炉要素、改装排气管机系統四的部分组合。

在半导体外延工艺中，气体控制系统指的就是超高纯电子特气系统，以下简称特气系统。特气系统以耐腐蚀的EP管、气体泄漏监测报警系统、高精度的质量流量计以及特气设备如拥有SEMI S2认证和自动吹扫、自动切换以及紧急情况下的自动安全切断等功能的电子特气柜，来保证外延生长工艺中特种气体的安全稳定输送。

综合上面的经验，特气系统性中电子厂特气柜为半导体技术本质萌发技艺可以提供稳定性高增强的乙炔气原建材料（如硅烷和二氯二氢硅等），绝对加工的稳定性高甚至加工率和良品率。接下来，道谢您的阅读训练！