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化学气相沉积(CVD)材料生长设备的配气气路装置

2020-03-26 14:54:06        0

化学气相淀积方法是半导体研究界和产业界中应用最为广泛的用于制备薄膜材 料的常用方法之一,可制备的薄膜材料包括大多数半导体薄膜、介质薄膜、金属及合 金薄膜。
随着半导体器件性能的提高,对于材料的质量要求也随之提高。


对于CVD材料 生长设备来说,要获得高质量的材料,首先必须保证作为反应物的气源由源区至反应 区的输运及控制过程中的纯度,即保证整个配气气路的气密性。目前,CVD材料生 长设备的配气气路一般采用卡套式管接头或VCR接头来实现输气管道、控制元件之 间的密封连接。

VCR连结管密封圈性较好好,组装拆下简便,但价位较贵。为影响进行实验及分娩资金, 常适用卡套式管连结管保持气路的密封圈连结。卡套式管连结管还有着组成轻松、克重轻、体 积小、适用简便、无需焊接方法,同时还还有着积极的击穿电压性、耐振动幅度大性、耐熱性及能信的密 封性,价位远小于VCR连结管。


选用卡套式管管五金线管接头就开始气路接入,人工成本较低的一起又 能以确保接入处的密封性性,但装有时就必要从正个气路的两端就开始依次装有到另两端, 统一两端管五金线管接头体后嵌入高度为宜的五金管并统一卡套,再装有另两的卡套及管五金线管接头体 并统一管五金线管接头体和卡套;须得检测或拆除时也必要从正个气路的某两端丌始拆除到须得 需要维护检修或编辑的构件已经。


这就给配气把控系统的气路运营维护带动了有很大的不利,特别是在是当气 路中的另一个把控零件可以替代时,就应该从气路的下端已经开始到可以替代的主件为 止,将期间的气路管路和把控零件全不按顺序拆卸的。


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