化学气相淀积方法是半导体研究界和产业界中应用最为广泛的用于制备薄膜材 料的常用方法之一，可制备的薄膜材料包括大多数半导体薄膜、介质薄膜、金属及合 金薄膜。
随着半导体器件性能的提高，对于材料的质量要求也随之提高。

对于CVD材料 生长设备来说，要获得高质量的材料，首先必须保证作为反应物的气源由源区至反应 区的输运及控制过程中的纯度，即保证整个配气气路的气密性。目前，CVD材料生 长设备的配气气路一般采用卡套式管接头或VCR接头来实现输气管道、控制元件之 间的密封连接。

VCR线联接管气密性性会比较好，安装安全使用卸下来不便，但房价较贵。为大大减少实验英文及生育成本核算， 常用到卡套式管线联接管做到气路的密封性联接。卡套式管线联接管有构成简洁、载耐用、体 积小、安全使用不便、不一样焊接生产，还有更好的耐压试验性、耐激振性、耐热性性及牢靠的密 封性，房价远远低于VCR线联接管。

用卡套式管进行联合金材料插头对其进行气路进行联接，成本投入较低的一起又 能要确保进行联接处的水密性性，但装配时就务必从一部分气路的一边始于依次装配到其它边， 特定一边进行联合金材料插头体后放进去总长合理的合金材料管并特定卡套，再装配其它边的卡套及进行联合金材料插头体 并特定进行联合金材料插头体和卡套；还要修复或拆下的时也务必从一部分气路的某种边丌始拆下的到还要 检修保养或复制的零配件就行。

这就给配气装制的气路服务器维护带给了太大的困扰，特别的是当气 路中的某段个抑制电子器件所需代替时，就应该从气路的两端始于到所需代替的元器件为 止，将里面的气路水管和抑制电子器件所有的先后顺序拆卸的。

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