化学气相淀积方法是半导体研究界和产业界中应用最为广泛的用于制备薄膜材 料的常用方法之一，可制备的薄膜材料包括大多数半导体薄膜、介质薄膜、金属及合 金薄膜。
随着半导体器件性能的提高，对于材料的质量要求也随之提高。

对于CVD材料 生长设备来说，要获得高质量的材料，首先必须保证作为反应物的气源由源区至反应 区的输运及控制过程中的纯度，即保证整个配气气路的气密性。目前，CVD材料生 长设备的配气气路一般采用卡套式管接头或VCR接头来实现输气管道、控制元件之 间的密封连接。

VCR直金属直连接头水密性性相对比较好，相连接拆除方面，但市场价较贵。为下降调查及工作价额， 常通过卡套式管直金属直连接头保持气路的密封性相连接。卡套式管直金属直连接头有着格局简便、承重轻、体 积小、操作方面、免去点焊，且有着充分的击穿电压性、耐运动性、耐温性及安全可靠的密 封性，市场价远达不到VCR直金属直连接头。

采用了卡套式管接连头做好气路接连，资金较低的的同时又 能有保障接连处的密封性，但重新装设时就须要从一个气路的左端刚刚开始挨个重新装设到另左端， 确定左端接连头体后放入长短靠谱的金屬管并确定卡套，再重新装设另左上方卡套及接连头体 并确定接连头体和卡套；一定要维修或卸下来时也须要从一个气路的某左端丌始卸下来到一定要 点检或代替的主件就要。

这就给配气装备的气路维护与保养受到了大的带来不便，还是比较是当气 路中的某个个掌握开关零件需求代替时，就需求从气路的一面起到需求代替的零件为 止，将期間的气路途径和掌握开关零件全不按序卸下来。

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