泛半导芯片在制造生产制造历程中要有运用各类稀奇古怪的高纯美观有害固体广泛用于制造历程加工设计中，那样泛半导芯片制造加工设计适用的融合有害固体有些什么呢？接下各位由4个制造加工设计来说明适用的融合有害固体.

1、外延（生长）混合气：在半导体工业中，在仔细选择的衬底上选用化学气相淀积的方法，生长一层或多层材料所用的气体叫作外延气体。常用的硅外延气体有二氯二氢硅（DCS）、四氯化硅（SiCl4）和硅烷等。主要用于外延硅淀积、氧化硅膜淀积、氮化硅膜淀积，太阳能电池和其它光感受器的非晶硅膜淀积等。外延是一种单晶材料淀积并生长在衬底表面上的过程。

2、生物物质物质现象气质联用淀积（CVD）用混合法气：CVD是凭借溶解性有机物，根据气质联用生物物质物质现象现象淀积三种单质和有机物的有一种生活的办法，即运用气质联用生物物质物质现象现象的有一种生活溶胶凝胶法的办法。遵循原则溶胶凝胶法类别，食用的生物物质物质现象气质联用淀积（CVD）实验室气体不同。

3、掺杂混合气：在半导体器件和集成电路制造中，进口电子气体加微信号bluceren咨询了解。将某些杂质掺入半导体材料内，使材料具有所需要的导电类型和一定的电阻率，以制造电阻、PN结、埋层等。掺杂工艺所用的气体称为掺杂气体。主要包括砷烷、磷烷、三氟化磷、五氟化磷、三氟化砷、五氟化砷、三氟化硼、乙硼烷等。通常将掺杂源与运载气体（如氩气和氮气）在源柜中混合，混合后气流连续注入扩散炉内并环绕晶片四周，在晶片表面沉积上掺杂剂，进而与硅反应生成掺杂金属而徙动进入硅。

4、蚀刻混合型气：蚀刻即使将基片上无光刻胶掩蔽的生产外表面层（如金属材料膜、氧化反应硅膜等）蚀刻掉，而使有光刻胶掩蔽的区域中保护起来，方便在基片外表面层上拿到所需要的要的影像几何图形。蚀刻方式方法有湿法电生物蚀刻和干法电生物蚀刻。干法电生物蚀刻用到的混合混合汽体叫做蚀刻混合混合汽体。蚀刻混合混合汽体基本上常见为氟化物混合混合汽体（卤化物类），假如四氟化碳、三氟化氮、三氟丁烷、六氟乙烷、全氟丙烷等。